1、结构：mlc是双层，tlc是三层，qlc是四层
2、单个cell存储数据量：mlc为2bit，tlc为3bit，qlc为4bit
3、理论擦写次数：mlc是3000-10000，tlc是500-1000，qlc是150
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1、结构：mlc是双层，tlc是三层，qlc是四层
2、单个cell存储数据量：mlc为2bit，tlc为3bit，qlc为4bit
3、理论擦写次数：mlc是3000-10000，tlc是500-1000，qlc是150
